Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

2 766,00 kr

(exkl. moms)

3 456,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30000,922 kr2 766,00 kr
6000 - 120000,876 kr2 628,00 kr
15000 +0,821 kr2 463,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-8258
Tillv. art.nr:
BSS314PEH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

OptiMOS P

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

230mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.9nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500mW

Framåtriktad spänning Vf

-1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.3mm

Längd

2.9mm

Bredd

0.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Infineon OptiMOS P-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 1,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSS314PEH6327XTSA1


Denna p-kanals MOSFET fungerar som en kompakt ytmonterad omkopplingsenhet för lågspänningseffektsstyrning inom fordons- och industriell elektronik. Den är utformad för drift i förstärkningsläge och erbjuder kontrollerad ledning för strömvägs- och belastningsomkopplingsuppgifter över ett brett temperaturområde, vilket gör den lämplig för krävande termiska miljöer.

Funktioner och fördelar:


• Drain-kapacitet på 30 V möjliggör omkoppling av system med låg spänning
• 230 mΩ Rds(on) ger effektiv ledning för små laster
• Kontinuerlig dräneringsström på 1.5 A stöder måttliga strömbanor
• 2,9 nC typisk grindladdning minskar omkopplingsenergiförluster
• Maximalt 20 V gate-source-klassning möjliggör flexibla gate-drivenhetsmarginaler
• AEC-Q101-kvalificering för fordonsindustrin passar fordonstillämpningar

Användningsområden


• Lämplig för batterihantering och skyddskretsar
• Idealisk för lastväxling i fordonsstyrmoduler
• Används med strömskenor i handhållen och bärbar elektronik
• Kan användas för småsignalsströmomkoppling i sensornoder
• Lämpligt för ytmonterade konstruktioner där kortutrymmet är begränsat

Vilka termiska extremer tål den under drift?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stora temperaturvariationer.

Hur påverkar paketet integreringen på kortnivå?


SOT-23-format för ytmontering möjliggör kompakt placering och automatiserad montering på tätt belägna kort.

Vilka strömhanteringsbegränsningar bör konstruktörer ta hänsyn till?


Enheten dissiperar upp till 500 mW, så tillräcklig koppar för kretskort och termisk layout krävs för att hantera kopplingstemperaturen under kontinuerlig belastning.

Vilken elektrisk gräns styr valet av grinddrivare?


Driftspänningen måste ligga inom ±20 V i förhållande till källan för att undvika grindöverspänning och säkerställa tillförlitlig omkoppling.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.