Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.18 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 145-9489
Tillv. art.nr:: BSS215PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.18 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 225,00 kr

(exkl. moms)

4 032,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

6 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	1,075 kr	3 225,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 145-9489
Tillv. art.nr:: BSS215PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.18A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	OptiMOS P
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	280mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	3.6nC
	Maximal effektförlust Pd	500mW
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	-1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-12, +12V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1mm
	Längd	2.9mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	1.3mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.18A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie OptiMOS P
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.6nC
	Maximal effektförlust Pd 500mW
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf -1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -12, +12V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1mm
	Längd 2.9mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 1.3mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOS P-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 280 mΩ maximal drain-källresistans - BSS215PH6327XTSA1

Denna MOSFET är en P-kanalförstärkningstransistor avsedd för ytmonteringstillämpningar i krävande elektroniska system. Den ger kontrollerad omkopplingsfunktionalitet för lågspänningskretsar, fungerar över ett brett omgivningsområde för att passa fordons- och industriella förhållanden, och är inrymd i ett kompakt SOT-23-paket för utrymmesbegränsade konstruktioner.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans på 280 mΩ minskar ledningsförluster och behov av kylelement
• Maximal dräneringsström 1,18 A stöder omkopplingskapacitet för måttlig belastning
• Drain-source-spänning på 20 V möjliggör säker drift i 12 V-system
• Typisk grindladdning på 3.6 nC möjliggör snabbare omkoppling med lägre drivenergi
• Effektförlust på 500 mW begränsar värmebelastning i konstruktioner med låg effekt
• Nominell gate-source-tolerans på 12 V säkerställer motståndskraft mot överdriven gate

Användningsområden

• Lämplig för high-side-omkoppling i batterihanteringssystem
• Idealisk för belastningsfrånkoppling i bilhjälpkretsar
• Används för styrning av DC/DC-omvandlare i kompakta nätaggregat
• Kan användas för skydd mot omvänd polaritet i 12 V-installationer
• Lämplig för signalnivåväxling i sensorgränssnittsmoduler

Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?

Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, och passar extrema termiska miljöer.

Hur är enheten förpackad för montering på kretskort?

Den levereras i ett SOT-23-paket för ytmontering som är utformat för automatiserad kretskortsplacering och lödning.

Vilka överväganden om grinddrivning bör jag ta hänsyn till?

Enheten accepterar upp till 12 V mellan grind och källa

garanterar grinddrivkretsar begränsar avvikelser inom denna tröskel.

Är enheten lämplig för fordonskvalificering?

Den uppfyller AEC-Q101-standarder som är lämpliga för många elektroniska fordonsdesigner.