Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2337DS-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

202,38 kr

(exkl. moms)

252,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Dessutom levereras 40 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 60 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Sista 15 600 enhet(er) levereras från den 05 januari 2026
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +10,119 kr202,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3123
Tillv. art.nr:
SI2337DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.303Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Minimum Operating Temperature

-50°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar