Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7798
Tillv. art.nr:: SI2369DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

84,675 kr

(exkl. moms)

105,85 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Håller på att utgå

Dessutom levereras 125 enhet(er) från den 23 mars 2026
Sista 1 475 enhet(er) levereras från den 30 mars 2026

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 - 225	3,387 kr	84,68 kr
250 - 600	3,324 kr	83,10 kr
625 - 1225	2,536 kr	63,40 kr
1250 - 2475	2,034 kr	50,85 kr
2500 +	1,698 kr	42,45 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7798
Tillv. art.nr:: SI2369DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	7.6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Kapseltyp	SOT-23
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	40mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	11.4nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Maximal effektförlust Pd	1.6W
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	3.04mm
	Höjd	1.12mm
	Bredd	2.64 mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Kapseltyp SOT-23
	Fästetyp Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.4nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Maximal effektförlust Pd 1.6W
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 3.04mm
	Höjd 1.12mm
	Bredd 2.64 mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 29mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 30V. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V respectively. It has continuous drain current of 7.6A and maximum power dissipation of 2.5W. MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC/DC converter

• For mobile computing

• Load switch

• Notebook adaptor switch

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested