Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

14 319,00 kr

(exkl. moms)

17 898,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 15 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +4,773 kr14 319,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-7181
Tillv. art.nr:
SI2337DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.303Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-50°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar