Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7829
Tillv. art.nr:: SI2399DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

26,84 kr

(exkl. moms)

33,56 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

3 380 enhet(er) levereras från den 24 mars 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 +	1,342 kr	26,84 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7829
Tillv. art.nr:: SI2399DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	67mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Maximal effektförlust Pd	1.6W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	10nC
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	2.64 mm
	Höjd	1.12mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	3.04mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie TrenchFET
	Fästetyp Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 67mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Maximal effektförlust Pd 1.6W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 2.64 mm
	Höjd 1.12mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 3.04mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V and a maximum gate-source voltage of 12V. It has drain-source resistance of 34mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 2.5W and continuous drain current of 6A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 2.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC/DC converters

• Load switch

• PA switch

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested