Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2387DS-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

108,65 kr

(exkl. moms)

135,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 525 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2254,346 kr108,65 kr
250 - 6004,122 kr103,05 kr
625 - 12253,042 kr76,05 kr
1250 - 24752,818 kr70,45 kr
2500 +2,607 kr65,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2814
Tillv. art.nr:
Si2387DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET Gen IV P-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar