Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

94,42 kr

(exkl. moms)

118,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +4,721 kr94,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
710-3241
Tillv. art.nr:
SI2303CDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.33Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

2.3W

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.04mm

Höjd

1.02mm

Bredd

1.4 mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21

Fordonsstandard

Nej

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor