Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4214DDY-T1-GE3

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

36,56 kr

(exkl. moms)

45,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 465 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +7,312 kr36,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
710-3327
Tillv. art.nr:
SI4214DDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

19.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Length

5mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar