Sök efter MPN

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 818-1302
Tillv. art.nr:: SI4909DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

194,10 kr

(exkl. moms)

242,62 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 4 940 enhet(er) från den 26 december 2025

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 - 80	9,705 kr	194,10 kr
100 - 180	8,243 kr	164,86 kr
200 - 480	6,989 kr	139,78 kr
500 - 980	6,491 kr	129,82 kr
1000 +	6,211 kr	124,22 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 818-1302
Tillv. art.nr:: SI4909DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	34mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	41.5nC
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	3.2W
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Height	1.55mm
	Width	4 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 34mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41.5nC
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 3.2W
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Height 1.55mm
	Width 4 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

relaterade länkar