Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

136,30 kr

(exkl. moms)

170,38 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 280 enhet(er) från den 26 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1806,815 kr136,30 kr
200 - 4805,791 kr115,82 kr
500 - 9805,449 kr108,98 kr
1000 - 19805,119 kr102,38 kr
2000 +4,766 kr95,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9020
Tillv. art.nr:
SI4532CDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.78W

Minimum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar