Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9933CDY-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

30,74 kr

(exkl. moms)

38,425 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 14 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +6,148 kr30,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
710-3395
Tillv. art.nr:
SI9933CDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Transistor Configuration

Isolated

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar