Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4946BEY-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

116,26 kr

(exkl. moms)

145,325 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • 35 kvar, redo att levereras
  • Sista 1 725 enhet(er) levereras från den 01 januari 2026
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4523,252 kr116,26 kr
50 - 12019,756 kr98,78 kr
125 - 24518,636 kr93,18 kr
250 - 49517,45 kr87,25 kr
500 +16,262 kr81,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9027
Tillv. art.nr:
SI4946BEY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.7W

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Width

4 mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar