Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

9 480,00 kr

(exkl. moms)

11 850,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,792 kr9 480,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
919-0281
Tillv. art.nr:
SI4214DDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

7.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

19.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

5mm

Height

1.5mm

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar