Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4214DDY-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 919-0281
Tillv. art.nr:: SI4214DDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4214DDY-T1-GE3

Price Var (i en rulle med 2500)**

3,684 kr

(exkl. moms)

4,605 kr

(inkl. moms)

2500 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per rulle**
2500 +	3,684 kr	9 210,00 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 919-0281
Tillv. art.nr:: SI4214DDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	7.5 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	19.5 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.2V
Maximum Power Dissipation	2 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	2
Length	5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	14.5 nC @ 10 V, 7.1 nC @ 4.5 V
Width	4mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.5mm

Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4214DDY-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor