Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

92,51 kr

(exkl. moms)

115,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • 20 kvar, redo att levereras
  • Plus 5 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Sista 2 965 enhet(er) levereras från den 01 januari 2026
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4518,502 kr92,51 kr
50 - 24515,904 kr79,52 kr
250 - 49512,924 kr64,62 kr
500 - 124510,752 kr53,76 kr
1250 +9,812 kr49,06 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9008
Tillv. art.nr:
SI4948BEY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Forward Voltage Vf

-0.8V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5mm

Height

1.5mm

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar