Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 185.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS54DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

99,68 kr

(exkl. moms)

124,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 5 975 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4519,936 kr99,68 kr
50 - 12017,92 kr89,60 kr
125 - 24514,358 kr71,79 kr
250 - 49512,948 kr64,74 kr
500 +10,752 kr53,76 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2933
Tillv. art.nr:
SiSS54DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

185.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.06mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar