Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSH892BDN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

83,78 kr

(exkl. moms)

104,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 5 970 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 908,378 kr83,78 kr
100 - 2407,941 kr79,41 kr
250 - 4906,272 kr62,72 kr
500 - 9905,858 kr58,58 kr
1000 +4,435 kr44,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2931
Tillv. art.nr:
SiSH892BDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

30.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

29W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar