Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 185.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

22 383,00 kr

(exkl. moms)

27 978,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,461 kr22 383,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2932
Tillv. art.nr:
SiSS54DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

185.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.06mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16 V

Maximal effektförlust Pd

65.7W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

47.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar