Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA04DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 påse med 2 enheter)*

36,06 kr

(exkl. moms)

45,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Påse*
2 - 1818,03 kr36,06 kr
20 - 9816,91 kr33,82 kr
100 - 19815,23 kr30,46 kr
200 - 49814,335 kr28,67 kr
500 +13,495 kr26,99 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
768-9307
Tillv. art.nr:
SISA04DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.73V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.15mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Width

3.15 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar