N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SISA04DN-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 768-9307
Tillv. art.nr:: SISA04DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SISA04DN-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Pris (ex. moms) Var (i en påse med 2)

12,42 kr

(exkl. moms)

15,52 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut i lager – restorder för leverans 2025-01-25*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per Bag**
2 - 18	12,42 kr	24,84 kr
20 - 98	11,695 kr	23,39 kr
100 - 198	10,51 kr	21,02 kr
200 - 498	9,89 kr	19,78 kr
500 +	9,325 kr	18,65 kr

RS-artikelnummer:: 768-9307
Tillv. art.nr:: SISA04DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

SiSA04DN, N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	40 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	PowerPAK 1212-8
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	3.1 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Maximum Power Dissipation	52 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Width	3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs	51 nC @ 10 V
Length	3.15mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Height	1.12mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SISA04DN-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor