Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 påse med 2 enheter)*

36,06 kr

(exkl. moms)

45,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per påse*
2 - 1818,03 kr36,06 kr
20 - 9816,91 kr33,82 kr
100 - 19815,23 kr30,46 kr
200 - 49814,335 kr28,67 kr
500 +13,495 kr26,99 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
768-9307
Tillv. art.nr:
SISA04DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Maximal effektförlust Pd

52W

Framåtriktad spänning Vf

0.73V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.15 mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.12mm

Längd

3.15mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor