Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

92,51 kr

(exkl. moms)

115,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 909,251 kr92,51 kr
100 - 2407,638 kr76,38 kr
250 - 4907,448 kr74,48 kr
500 - 9907,246 kr72,46 kr
1000 +7,056 kr70,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9409
Tillv. art.nr:
SISA10DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Width

3.4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar