Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

92,51 kr

(exkl. moms)

115,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 909,251 kr92,51 kr
100 - 2407,638 kr76,38 kr
250 - 4907,448 kr74,48 kr
500 - 9907,246 kr72,46 kr
1000 +7,056 kr70,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9409
Tillv. art.nr:
SISA10DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

34nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

39W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.12mm

Bredd

3.4 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.4mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar