Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

102,82 kr

(exkl. moms)

128,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9010,282 kr102,82 kr
100 - 2409,789 kr97,89 kr
250 - 4907,739 kr77,39 kr
500 - 9907,202 kr72,02 kr
1000 +6,171 kr61,71 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2825
Tillv. art.nr:
SI7116BDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

65A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

62.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

31.4nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.75mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

Very low Qg and Qoss reduce power loss and

improve efficiency

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces

switching related power loss