Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7116BDN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

102,82 kr

(exkl. moms)

128,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9010,282 kr102,82 kr
100 - 2409,789 kr97,89 kr
250 - 4907,739 kr77,39 kr
500 - 9907,202 kr72,02 kr
1000 +6,171 kr61,71 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2825
Tillv. art.nr:
SI7116BDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.75mm

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

Very low Qg and Qoss reduce power loss and

improve efficiency

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces

switching related power loss

relaterade länkar