Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS27DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

138,66 kr

(exkl. moms)

173,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 4 320 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1806,933 kr138,66 kr
200 - 4805,477 kr109,54 kr
500 - 9804,85 kr97,00 kr
1000 - 19804,161 kr83,22 kr
2000 +3,467 kr69,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
814-1323
Tillv. art.nr:
SISS27DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

92nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.78mm

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar