Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET, 13.8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R280P6FKSA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

149,16 kr

(exkl. moms)

186,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2029,832 kr149,16 kr
25 - 4526,88 kr134,40 kr
50 - 12025,088 kr125,44 kr
125 - 24523,274 kr116,37 kr
250 +21,482 kr107,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3089
Tillv. art.nr:
IPW60R280P6FKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

CoolMOS P6

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25.5nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

16.13mm

Standards/Approvals

No

Height

21.1mm

Width

5.21 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ P6 series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. It is used in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server, Telecom and UPS.

Increased MOSFET dv/dt ruggedness

Very high commutation ruggedness

Easy to use/drive

Pb-free plating, Halogen free mold compound

relaterade länkar