Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- RS-artikelnummer:
- 218-3089
- Tillv. art.nr:
- IPW60R280P6FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
153,22 kr
(exkl. moms)
191,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 30,644 kr | 153,22 kr |
| 25 - 45 | 27,596 kr | 137,98 kr |
| 50 - 120 | 25,76 kr | 128,80 kr |
| 125 - 245 | 23,924 kr | 119,62 kr |
| 250 + | 22,064 kr | 110,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3089
- Tillv. art.nr:
- IPW60R280P6FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 21.1mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ P6 series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. It is used in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server, Telecom and UPS.
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 13.8 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 53.5 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 20 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 109 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 19.2 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 22.4 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 23.8 A 600 V Förbättring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 37.9 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS P6
