Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P6
- RS-artikelnummer:
- 214-9092
- Tillv. art.nr:
- IPP60R160P6XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
604,35 kr
(exkl. moms)
755,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 12,087 kr | 604,35 kr |
| 100 - 200 | 10,567 kr | 528,35 kr |
| 250 + | 10,304 kr | 515,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9092
- Tillv. art.nr:
- IPP60R160P6XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 176W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44nC | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Bredd | 4.57 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 176W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44nC | ||
Höjd 9.45mm | ||
Bredd 4.57 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS Series is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
Easy to use/drive
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
Very high commutation ruggedness
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 23.8 A 600 V Förbättring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 23.8 A 650 V Förbättring TO-263, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 23.8 A 600 V N TO-220, 600V CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 37.9 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 87 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 19.2 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 22.4 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 53.5 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS P6