Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22.4 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6
- RS-artikelnummer:
- 214-9073
- Tillv. art.nr:
- IPL60R180P6AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 214-9073
- Tillv. art.nr:
- IPL60R180P6AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Kapseltyp | VSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 176W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Längd | 8.1mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Kapseltyp VSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximal effektförlust Pd 176W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Längd 8.1mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och pionjärerad av Infineon Technologies. CoolMOS P6-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i högklass. De erbjudna enheterna ger alla fördelar med en snabb SJ MOSFET utan att kompromissa med användarvänligheten. Extremt låga omkopplings- och ledningsförluster gör omkopplingstillämpningar ännu mer effektiva, mer kompakta, lättare och svalare.
Ökad MOSFET dv/dt-robusthet
Lätt att använda/drivning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22.4 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19.2 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 53.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 4 Ben, VSON, CoolMOS