Infineon N Kanal, MOSFET, 19.2 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6
- RS-artikelnummer:
- 214-9075
- Tillv. art.nr:
- IPL60R210P6AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
30 255,00 kr
(exkl. moms)
37 818,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 10,085 kr | 30 255,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9075
- Tillv. art.nr:
- IPL60R210P6AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Kapseltyp | VSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 210mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 151W | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 8.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 8.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Kapseltyp VSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 210mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal effektförlust Pd 151W | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 8.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 8.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
600 V CoolMOSaP6 effekttransistor
Infineons CoolMOSTM P6 superjunction MOSFET-familj är utformad för att möjliggöra högre systemeffektivitet samtidigt som den är lätt att designa i. CoolMOSTM P6 täcker klyftan mellan tekniker som fokuserar på att leverera ultimata prestanda och de som fokuserar mer på användarvänlighet.
Sammanfattning av funktioner
Fördelar
Potentiella tillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 19.2 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22.4 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS CFD7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 23.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 53.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 4 Ben, VSON, CoolMOS