Infineon N Kanal, MOSFET, 13.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
218-3088
Tillv. art.nr:
IPW60R280P6FKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

13.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

CoolMOS P6

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

280mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

104W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

21.1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5.21mm

Längd

16.13mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon 600 V CoolMOSTM P6-serien N-kanals effekt-MOSFET. CoolMOSTM är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt superjunction (SJ)-principen och pionjärerad av Infineon Technologies. Den används i PFC-steg, hårt omkopplande PWM-steg och resonanta omkopplingssteg för t. ex. PC Silverbox, adapter, LCD- och PDP-TV, belysning, server, telekom och UPS.

Ökad MOSFET dv/dt-robusthet

Mycket hög motståndskraft vid kommutation

Lätt att använda/drivning

Blyfri plätering, halogenfri formförening

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.