Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- RS-artikelnummer:
- 110-9099
- Tillv. art.nr:
- IPW60R190P6FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
212,35 kr
(exkl. moms)
265,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 42,47 kr | 212,35 kr |
| 25 - 45 | 33,98 kr | 169,90 kr |
| 50 - 120 | 31,428 kr | 157,14 kr |
| 125 - 245 | 29,30 kr | 146,50 kr |
| 250 + | 27,172 kr | 135,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 110-9099
- Tillv. art.nr:
- IPW60R190P6FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 151W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 16.13mm | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal effektförlust Pd 151W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.21mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 16.13mm | ||
Höjd 21.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET
The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 109 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 53.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 23.8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 30 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 87 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P6