Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9709
Tillv. art.nr:
TSM280NB06LCR
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

28A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

TSM025

Kapseltyp

PDFN56

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

28mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

56W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

5.1 mm

Längd

6.1mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

Nej

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

Relaterade länkar