Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9706
Tillv. art.nr:
TSM250NB06DCR
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PDFN56

Serie

TSM025

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

25mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

48W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

22nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.1mm

Höjd

1.1mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

Relaterade länkar