Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9687
- Tillv. art.nr:
- TSM130NB06CR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
421,00 kr
(exkl. moms)
526,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 4 975 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 16,84 kr | 421,00 kr |
| 50 - 75 | 16,536 kr | 413,40 kr |
| 100 - 225 | 15,156 kr | 378,90 kr |
| 250 - 975 | 14,869 kr | 371,73 kr |
| 1000 + | 13,79 kr | 344,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-9687
- Tillv. art.nr:
- TSM130NB06CR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | TSM025 | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.2mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie TSM025 | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.2mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 51 A 60 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 51 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 121 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 124 A 30 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 80 A 30 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 161 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 54 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 24 A 150 V Förbättring PDFN56, TSM025