Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 24 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9716
- Tillv. art.nr:
- TSM650N15CR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
186,01 kr
(exkl. moms)
232,51 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 480 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 18,601 kr | 186,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-9716
- Tillv. art.nr:
- TSM650N15CR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | ||
Bredd 5.1mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 24 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 161 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 124 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 67 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025