Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

181,61 kr

(exkl. moms)

227,01 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 480 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +18,161 kr181,61 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9716
Tillv. art.nr:
TSM650N15CR
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

TSM025

Kapseltyp

PDFN56

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

65mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Maximal effektförlust Pd

96W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC

Höjd

1.1mm

Längd

6.1mm

Fordonsstandard

Nej

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

Relaterade länkar