Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 54 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9681
Tillv. art.nr:
TSM110NB04CR
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

54A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

TSM025

Kapseltyp

PDFN56

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

11mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

23nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

68W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

5.2mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Längd

6.2mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TW
"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.

Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.