Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9654
- Tillv. art.nr:
- TSM033NB04LCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
271,38 kr
(exkl. moms)
339,22 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 27,138 kr | 271,38 kr |
| 50 - 90 | 26,589 kr | 265,89 kr |
| 100 - 240 | 24,416 kr | 244,16 kr |
| 250 - 990 | 23,968 kr | 239,68 kr |
| 1000 + | 22,221 kr | 222,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-9654
- Tillv. art.nr:
- TSM033NB04LCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 121A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TSM025 | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 36W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | |
| Längd | 6mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 121A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TSM025 | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 36W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | ||
Längd 6mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 121 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 124 A 30 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 80 A 30 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 161 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 54 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 24 A 150 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 25 A 60 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 51 A 60 V Förbättring PDFN56, TSM025