Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9714
- Tillv. art.nr:
- TSM300NB06DCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
184,25 kr
(exkl. moms)
230,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 4 975 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 + | 7,37 kr | 184,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-9714
- Tillv. art.nr:
- TSM300NB06DCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 30mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.15mm | |
| Längd | 6.2mm | |
| Bredd | 5.2mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 30mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.15mm | ||
Längd 6.2mm | ||
Bredd 5.2mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 24 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 161 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 124 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 67 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025