Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

466,15 kr

(exkl. moms)

582,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 4 975 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2518,646 kr466,15 kr
50 - 7518,274 kr456,85 kr
100 - 22516,764 kr419,10 kr
250 - 97516,446 kr411,15 kr
1000 +15,268 kr381,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9714
Tillv. art.nr:
TSM300NB06DCR
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

25A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PDFN56

Serie

TSM025

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

30mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

40W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.15mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS

Längd

6.2mm

Fordonsstandard

Nej

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

Relaterade länkar