Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

469,85 kr

(exkl. moms)

587,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 1 625 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2518,794 kr469,85 kr
50 - 7518,435 kr460,88 kr
100 - 22516,952 kr423,80 kr
250 - 97516,612 kr415,30 kr
1000 +15,393 kr384,83 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9700
Tillv. art.nr:
TSM170N06PQ56
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

44A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

TSM025

Kapseltyp

PDFN56

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

17mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

29nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

73.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

IEC, RoHS, WEEE

Höjd

1.1mm

Bredd

5.1 mm

Längd

6.1mm

Fordonsstandard

Nej

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

Relaterade länkar