Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 112 A, 40 V Enhancement, 9-Pin DirectFET AUIRL7736M2TR

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

209,72 kr

(exkl. moms)

262,15 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2041,944 kr209,72 kr
25 - 4536,086 kr180,43 kr
50 - 12033,958 kr169,79 kr
125 - 24531,45 kr157,25 kr
250 +29,366 kr146,83 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-8965
Tillv. art.nr:
AUIRL7736M2TR
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

112A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

HEXFET

Package Type

DirectFET

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5.05 mm

Length

6.35mm

Height

0.74mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon combines the latest Automotive HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced packaging platform to achieve exceptional performance in a package that has the footprint of an SO-8 or 5X6mm PQFN and only 0.7mm profile. The package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques etc. The package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems.

Advanced Process Technology

Logic Level

High Power Density

relaterade länkar