Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 112 A 40 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-8965
- Tillv. art.nr:
- AUIRL7736M2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 214-8965
- Tillv. art.nr:
- AUIRL7736M2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 112A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 63W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.35mm | |
| Höjd | 0.74mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 112A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 63W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.35mm | ||
Höjd 0.74mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon combines the latest Automotive HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced packaging platform to achieve exceptional performance in a package that has the footprint of an SO-8 or 5X6mm PQFN and only 0.7mm profile. The package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques etc. The package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems.
Advanced Process Technology
Logic Level
High Power Density
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 112 A 40 V Förbättring DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 18 A 150 V Förbättring DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 375 A 60 V Förbättring DirectFET HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 160 A 75 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 68 A 60 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 21 A 60 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 55 A 80 V Förbättring DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 19 A 200 V Förbättring DirectFET, HEXFET