Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET

Infineon HEXFET® Power MOSFET har 80 V maximal dräneringskällspänning i ett DirectFET MZ-paket med 55 ampere optimerat med låg påslagningsresistans. IRF6668PbF kombinerar den senaste HEXFET® Power MOSFET-kiseltekniken med den avancerade DirectFETTM-förpackningen för att uppnå den lägsta påslagningsmotståndet i en kapsel som har fotavtrycket av en SO-8 och endast 0,7 mm profil. DirectFET-kapseln är kompatibel med befintliga layoutgeometrier som används i strömtillämpningar, kretskortsmonteringsutrustning och ångfas-, infraröd- eller konvektionslödtekniker. Användningsanmärkning AN-1035 följs beträffande tillverkningsmetoderna och processerna. DirectFET-paketet möjliggör dubbelsidig kylning för att maximera värmeöverföringen i kraftsystem, vilket förbättrar den tidigare bästa termiska resistansen med 80 %.

Blyfri (kvalificerad upp till 260 °C reflow)