Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-8950
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7675M2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
291,65 kr
(exkl. moms)
364,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 29,165 kr | 291,65 kr |
| 50 - 90 | 27,709 kr | 277,09 kr |
| 100 - 240 | 26,544 kr | 265,44 kr |
| 250 - 490 | 25,379 kr | 253,79 kr |
| 500 + | 23,632 kr | 236,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8950
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7675M2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 56mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 0.74mm | |
| Längd | 6.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 56mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 0.74mm | ||
Längd 6.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons kombinerar den senaste automotive HEXFET Power MOSFET-kiseltekniken med den avancerade förpackningsplattform för att producera en klassens bästa del för fordonsklass D-ljudförstärkningstillämpningar. Anoden förpackningen är kompatibel med befintliga layoutgeometrier som används i krafttillämpningar, kretskortsmonteringsutrustning och ångfas-, infraröd- eller konvektionslödtekniker etc. Anoden förpackningen möjliggör dubbelsidig kylning för att maximera värmeöverföringen i fordonskraftsystem. Dessa funktioner kombineras för att göra denna MOSFET till en mycket önskvärd komponent i fordonsljudförstärkarsystem av klass D.
Avancerad processteknik
175°C Driftstemperatur
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 112 A 40 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 75 V, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 60 V Förbättring, 6 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET