Infineon N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 165-8086
- Tillv. art.nr:
- IRF7749L1TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (4000 enheter, på en rulle med 4000)*
113 552,00 kr
(exkl. moms)
141 940,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 28,388 kr | 113 552,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-8086
- Tillv. art.nr:
- IRF7749L1TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 375A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 15 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 200nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 7.1mm | |
| Höjd | 0.49mm | |
| Längd | 9.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 375A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 15 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 200nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 7.1mm | ||
Höjd 0.49mm | ||
Längd 9.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
DirectFET® effekt-MOSFET, Infineon
DirectFET®
Industrins lägsta påslagningsresistans i deras respektive fotavtryck
Extremt låg kapslingsresistans för att minimera ledningsförluster
Mycket effektiv dubbelsidig kylning förbättrar effekttätheten, kostnaden och tillförlitligheten avsevärt
Låg profil på endast 0,7 mm
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 375 A 40 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 81 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 60 V Förbättring, 6 Ben, DirectFET, HEXFET