Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 75 V, DirectFET, HEXFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

57,57 kr

(exkl. moms)

71,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 58 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 4957,57 kr
50 - 9949,50 kr
100 - 49948,16 kr
500 - 199946,93 kr
2000 +45,70 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-5220
Tillv. art.nr:
AUIRF7759L2TR
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

160A

Maximal källspänning för dränering Vds

75V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

DirectFET

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
MX
The Infineon Power MOSFET is designed for applications where efficiency and power density are essential. The advanced DirectFET packaging platform coupled with the latest silicon technology allows it to offer substantial system level savings and performance improvement specifically in motor drive, high frequency DC to DC and other heavy load applications on ICE, HEV and EV platforms. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance and low Qg per silicon area. Additional features of this MOSFET are high repetitive peak current capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for high current automotive applications.

RoHS compliant

Dual sided cooling

High power density

Automotive qualified

Low parasitic parameters

Lead free and halogen free

Advanced process technology

Relaterade länkar