Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 75 V, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 273-5220
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7759L2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
109,31 kr
(exkl. moms)
136,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 49 | 109,31 kr |
| 50 - 99 | 93,97 kr |
| 100 - 499 | 91,39 kr |
| 500 - 1999 | 89,15 kr |
| 2000 + | 86,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5220
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7759L2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
Infineons effekt-MOSFET är utformad för tillämpningar där effektivitet och effekttäthet är avgörande. Den avancerade DirectFET-förpackningsplattformen i kombination med den senaste kiseltekniken gör det möjligt att erbjuda betydande besparingar på systemnivå och prestandaförbättring specifikt i motordrivenhet, högfrekvent DC-till-DC och andra tungbelastningstillämpningar på ICE-, HEV- och EV-plattformar. Denna MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå låg påslagningsresistans och låg Qg per kiselarea. Ytterligare funktioner för denna MOSFET är hög repetitiv toppströmskapacitet. Dessa funktioner kombinerar för att göra denna MOSFET till en mycket effektiv, robust och tillförlitlig enhet för högströmsfordonstillämpningar.
RoHS-kompatibel
Dubbelsidig kylning
Hög effekttäthet
Godkänd för fordonsindustrin
Låga parasitiska parametrar
Blyfri och halogenfri
Avancerad processteknik
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 75 V, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -160 A -30 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 345 A 60 V, 8 Ben, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 112 A 40 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 124 A 100 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 217 A 40 V, DirectFET, HEXFET