Infineon N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2581
- Tillv. art.nr:
- IRF6785MTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
195,69 kr
(exkl. moms)
244,61 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 340 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 19,569 kr | 195,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2581
- Tillv. art.nr:
- IRF6785MTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 57W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 57W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons HEXFET Power MOSFET har 200 V maximal dräneringskällspänning i ett DirectFET MZ-paket med 19 ampere optimerat med låg påslagningsresistans. Denna digitala ljud-MOSFET är speciellt utformad för klass D-ljudförstärkare. Denna MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå låg påslagningsresistans per kiselarea. Dessutom är grindladdning, omvänd återhämtning av kroppsdiod och internt grindmotstånd optimerade för att förbättra viktiga prestandafaktorer för klass-D-ljudförstärkare som effektivitet, THD och EMI. IRF6785MPbF-enheten använder DirectFETTM-förpackningsteknik. DirectFETTM-förpackningsteknik ger lägre parasitisk induktans och motstånd jämfört med konventionell trådbunden SOIC-förpackning.
Den senaste MOSFET-kiseltekniken
Nyckelparametrar optimerade för klass D-ljudförstärkare
Dubbelsidig kylningskompatibel
Blyfri (kvalificerad upp till 260 °C reflow)
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 81 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 60 V Förbättring, 6 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 86 A 60 V Förbättring, 4 Ben, MN, DirectFET, HEXFET