Infineon N Kanal, MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2449
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7648M2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 215-2449
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7648M2TR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 68A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 63W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 68A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 63W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon Automotive DirectFET® Power MOSFET har 60 V maximal dräneringskällspänning med 68 A maximal kontinuerlig dräneringsström i en DirectFET M4-kapsel. AUIRF7648M2 kombinerar den senaste Automotive HEXFET® Power MOSFET-kiseltekniken med den avancerade DirectFET®-förpackningen för att uppnå låg grindladdning samt det lägsta on-state-motståndet i en kapsel som har fotavtrycket av en SO-8-profil och endast 0,7 mm. DirectFET®-paketet är kompatibelt med befintliga layoutgeometrier som används i strömtillämpningar, kretskortsmonteringsutrustning och ångfas-, infraröd- eller konvektionslödtekniker, när tillämpningsinformation AN-1035 följs beträffande tillverkningsmetoderna och processerna. DirectFET®-paketet möjliggör dubbelsidig kylning för att maximera värmeöverföringen i fordonskraftssystem.
Avancerad processteknik
Optimerad för fordonsmotordrivning, DC-DC och andra tillämpningar med hög belastning
Låg Rds(on) för förbättrad effektivitet
Repetitiv avalanchekapacitet för robusthet och tillförlitlighet
Blyfri, RoHS- och halogenfri
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 60 V Förbättring, 6 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 200 V Förbättring, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 20 V Förbättring, 2 Ben, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 112 A 40 V Förbättring, 9 Ben, DirectFET, HEXFET AEC-Q101