Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 166-0980
- Tillv. art.nr:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 896,00 kr
(exkl. moms)
2 370,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 30 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,632 kr | 1 896,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,60 kr | 1 800,00 kr |
| 15000 + | 0,562 kr | 1 686,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-0980
- Tillv. art.nr:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 240mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 1.25 mm | |
| Längd | 2mm | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 240mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 1.25 mm | ||
Längd 2mm | ||
Höjd 0.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET-familj
Infineons OptiMOS™2 N-Channel-familjen erbjuder branschens lägsta on-state-resistans inom sin spänningsgrupp. Power MOSFET-serien kan användas i många applikationer, t.ex. högfrekvent telekom, datakom, solenergi, lågspänningsdrift och strömförsörjning för servrar. Anoden OptiMOS 2 produktfamiljen sträcker sig från 20V och uppåt och erbjuder ett urval av olika kapslingstyper.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 1.4 A 20 V Förbättring SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 1.5 A 20 V Förbättring SC-70, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 310 mA 20 V Förbättring SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 1.4 A 30 V Förbättring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 70 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad 300 mA 60 V Förbättring SC-88, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad 950 mA 20 V Förbättring SC-88, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 70 A 120 V Förbättring TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
