Infineon 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS 2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

2 823,00 kr

(exkl. moms)

3 528,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30000,941 kr2 823,00 kr
6000 - 60000,894 kr2 682,00 kr
9000 +0,837 kr2 511,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-5872
Tillv. art.nr:
BSD235NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

950mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Kapseltyp

SC-88

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

600mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.32nC

Maximal effektförlust Pd

500mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12, +12V

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Bredd

1.25mm

Längd

2mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.8mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Infineon OptiMOS 2-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 600 mΩ maximal drain-källresistans – BSD235NH6327XTSA1


Denna MOSFET är en kompakt, ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsuppgifter i fordons- och industrimiljöer. Den fungerar som en förstärkningsenhet med en isolerad transistorkonfiguration och är avsedd för tillämpningar som kräver låg gate-laddning och värmebeständighet vid förhöjda temperaturer.

Funktioner och fördelar:


• Maximal dräneringsspänning på 20 V möjliggör säker omkoppling vid låg spänning
• 600 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster under drift
• 0.32 nC typisk grindladdning ger snabb omkoppling med låg drivenergi
• 950 mA kontinuerlig dräneringsström stöder blygsamma belastningsströmmar
• 500 mW effektförlust möjliggör kontinuerlig drift under belastning
• AEC‐Q101-kvalificering som passar för testning av fordonselektronik

Användningsområden


• Lämplig för omkoppling av försörjningsskena i fordonsmoduler
• Idealisk för lastväxling i karossstyrenheter
• Används för grinddrivare och sekundära effektsteg
• Kan användas för kompakt strömhantering i överallt förekommande SMD-konstruktioner
• Lämplig för dubbelkanalig omkoppling i sensorgränssnitt

Vilka gränser för grinddrivning bör iakttas för säker drift?


Enheten accepterar gate-källspänningar på upp till 12 V max

se till att drivkretsar förblir inom denna gräns för att undvika gate-oxidbelastning.

Hur påverkar det termiska intervallet placeringen i konstruktioner?


Den fungerar mellan -55 °C och 150 °C, vilket möjliggör placering nära värmegenererande komponenter men kräver fortfarande termiska överväganden för kretskortskopparyta och luftflöde för att hantera 500 mW-förlust.

Hur många diskreta element finns på matrisen?


Chippet innehåller två element, användbara där parade omkopplingskanaler behövs i en enda kapsel.

Vilka fysiska begränsningar påverkar kretskortslayouten?


Komponenten levereras i en SC-88-förpackning med sex stift, så planeringen av fotavtryck måste rymma den lilla SMD-stiftmatrisen och avståndet för lödfiléer.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.