Infineon 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 500 enheter)*

602,00 kr

(exkl. moms)

752,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 13 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
500 - 5001,204 kr602,00 kr
1000 - 20001,144 kr572,00 kr
2500 - 45001,03 kr515,00 kr
5000 +1,024 kr512,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
827-0002
Tillv. art.nr:
2N7002DWH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

300mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SC-88

Serie

OptiMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

4Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

500mW

Framåtriktad spänning Vf

0.96V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.4nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.8mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.25mm

Längd

2mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V drain-källspänning, 4 Ω drain-källresistans - 2N7002DWH6327XTSA1


Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för lågströmsomkoppling i begränsade monteringar. Den fungerar i förstärkningsläge och kombinerar två element på ett enda kretskort för att leverera kompakt dubbelinsatsomkoppling som är lämplig för fordonsklassade och industriella miljöer. Enheten är avsedd för tillämpningar på kortnivå som kräver blygsam strömhantering och kontrollerat påslagningsmotstånd.

Funktioner och fördelar:


• 60 V avtappningsklassning möjliggör högre spänningsomkopplingstillämpningar
• Maximal Rds på 4 Ω minskar ledningsförlusterna under påslagningstillståndet
• Kontinuerlig dräneringsström på 300 mA med stöd för lågströmsbelastning
• 0.4 nC typisk grindladdning möjliggör snabb och effektiv omkoppling
• Effektförlust på 500 mW passar låg effekt, termiskt begränsade konstruktioner
• Driftområde -55 °C till 150 °C säkerställer värmebeständighet

Användningsområden


• Lämplig för mikrostyrenhetsstyrd lastväxling
• Idealisk för att koppla samman sensorer i fordonssystem
• Används med balanseringskretsar för batterihantering
• Kan användas för mindre reläbytesuppgifter
• Lämplig för kompakt styrning av SMD-strömvägar

Vilket paket och vilket antal stift ska jag förbereda för kretskortslayout?


Enheten levereras i ett litet ytmonterat SC-88-paket med sex stift, så dynor och värmeavlastning bör matcha SC-88:s fotavtryck.

Hur påverkar chippet med två element parallell drift?


Två element på samma matris möjliggör kompakta tvåkanaliga arrangemang utan extern matchning, men totala termiska gränser förblir per paket.

Vilka grind- och avtappningsspänningsgränser måste iakttas?


Gate-source-spänningen får inte överstiga ±20 V medan drain-source-spänningsgränsen är 60 V för att undvika enhetsbelastning.

Vilken framåtspänning kan förväntas vid ledning?


En framspänningsmätning på cirka 0,96 V gäller under specificerade testförhållanden för relevanta ledningsvägar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.