Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 827-0002
- Tillv. art.nr:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 500 enheter)*
424,50 kr
(exkl. moms)
530,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 15 000 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | 0,849 kr | 424,50 kr |
| 1000 - 2000 | 0,807 kr | 403,50 kr |
| 2500 - 4500 | 0,726 kr | 363,00 kr |
| 5000 + | 0,722 kr | 361,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-0002
- Tillv. art.nr:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.96V | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2mm | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.96V | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2mm | ||
Höjd 0.8mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™ MOSFET med dubbel effekt
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 310 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS P AEC-Q101