Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-9096
- Tillv. art.nr:
- IPP70N12S311AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
747,05 kr
(exkl. moms)
933,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 14,941 kr | 747,05 kr |
| 100 - 200 | 14,538 kr | 726,90 kr |
| 250 - 450 | 14,155 kr | 707,75 kr |
| 500 - 950 | 13,792 kr | 689,60 kr |
| 1000 + | 13,449 kr | 672,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9096
- Tillv. art.nr:
- IPP70N12S311AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.45mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons sortiment erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar CoolMOS-, OptiMOS- och Strong IRFET-familjerna. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Produkten är AEC Q101-kvalificerad
Den har en drifttemperatur på 175 °C
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3