Infineon N Kanal, MOSFET, 1.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 110-7113
Tillv. art.nr:: BSS816NWH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 1.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101

Antal (300 enheter, i en förpackning med 300)*

213,00 kr

(exkl. moms)

267,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

31 200 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
300 +	0,71 kr	213,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 110-7113
Tillv. art.nr:: BSS816NWH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Serie	OptiMOS 2
	Kapseltyp	SC-70
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	240mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-8V, +8V
	Maximal effektförlust Pd	500mW
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	0.6nC
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	2mm
	Bredd	1.25mm
	Höjd	0.8mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Serie OptiMOS 2
	Kapseltyp SC-70
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 240mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -8V, +8V
	Maximal effektförlust Pd 500mW
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 2mm
	Bredd 1.25mm
	Höjd 0.8mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon OptiMOS 2-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 1,4 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSS816NWH6327XTSA1

Denna MOSFET är en kompakt N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för lågspänningsswitchning i fordons- och industriella elektroniska system. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för ytmonterade tillämpningar där ett litet fotavtryck och en blygsam effekthantering krävs.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans på 240 mΩ minskar ledningsförluster och värme
• Maximal avtappningsström 1.4 A möjliggör omkoppling av måttlig belastning
• Drain-source-spänningsklassning 20 V stöder typiska fordonsskenor
• Grindladdning 0,6 nC möjliggör snabbare grindstyrning och minskad omkopplingsförlust
• Effektförlust på 500 mW möjliggör kontinuerlig drift under lätt belastning
• Gate-source-gränsen 8 V skyddar mot överdriven drivspänning

Användningsområden

• Passar för växlingssteg i fordonssensormoduler
• Idealisk för lastväxling i 12 V-hjälpkretsar
• Används med kringutrustning för batterihantering som kräver ett litet fotavtryck
• Kan användas för styrning av signalnivå i infotainmentsystem
• Kan användas till kompakta grindsteg för motorstyrning för låga strömmar

Vilket paket passar kortlayout med hög densitet?

Den levereras i ett ytmonterat SC-70-paket som minimerar kortytan och stöder automatiserad placering.

Hur fungerar den vid förhöjda omgivningstemperaturer?

Enheten är specifik för drift från -40 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer som är typiska för underkapslade fordonsplatser.

Vilket drivspänningsområde ska tillämpas på grinden?

Den maximala tillåtna gate-to-source-spänningen är 8 V, så gate-drivare bör väljas för att hålla sig inom denna gräns.

Hur balanserar enheten omkopplingshastigheten och gate-drivenergin?

Med en typisk grindladdning på 0,6 nC kräver den relativt låg energi för att växla, vilket bidrar till effektivitet i system med repetitiva övergångar.