Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 165-5865
Tillv. art.nr:: BSS214NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 528,00 kr

(exkl. moms)

4 410,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 24 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	1,176 kr	3 528,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-5865
Tillv. art.nr:: BSS214NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	SC-70
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	250mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	0.8V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-12V, +12V
	Maximal effektförlust Pd	500mW
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	0.8nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	2mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	0.8mm
	Bredd	1.25mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp SC-70
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 250mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 0.8V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -12V, +12V
	Maximal effektförlust Pd 500mW
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.8nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 2mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 0.8mm
	Bredd 1.25mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 1,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSS214NH6327XTSA1

Denna n-kanals MOSFET är en kompakt ytmonterad omkopplare som är utformad för lågspänningselektronik och fordonstillämpningar. Den fungerar som en förstärkningstransistor för att styra strömmen i strömhanterings- och signalomkopplingskretsar samtidigt som den klarar ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer.

Funktioner och fördelar:

• Lågt drain-source-motstånd på 250 mΩ minskar ledningsförluster
• Maximal dräneringsström 1.5 A stöder måttliga belastningsströmmar
• Maximal drain-källspänning 20 V möjliggör lågspänningseffektsteg
• Typisk grindladdning på 0.8 nC möjliggör snabbare växlingsövergångar
• Maximal effektförlust på 500 mW hanterar termisk belastning i små fotavtryck
• Maximal gate-källspänning 12 V möjliggör kompatibilitet med vanliga drivnivåer

Användningsområden

• Lämplig för lågströmsomkoppling i DC/DC-omvandlare
• Idealisk för strömfördelning inom fordonselektronik
• Används med grinddrivare som kräver snabb switchning
• Kan användas för lastomkoppling på kompakta kretskort
• Lämplig för batteridrivna enheters strömhantering

Vilka driftstemperaturer tål den under tuffa förhållanden?

Den fungerar i ett brett intervall från -55 °C upp till 150 °C för hög temperaturstabilitet.

Hur påverkar förpackningen kortpopulationen och monteringen?

Ytmonteringspaketet SC-70 underlättar tät kretskortslayout och automatiserad pick-and-place-montering.

Vilken elektrisk gräns bör konstruktörer observera för grinddrivning?

Överskrid inte en gate-källspänning på 12 V för att undvika att skada gate-oxiden.

Hur mycket vertikalt utrymme ska en konstruktör tillåta avståndet för komponenter?

Tillåter en komponenthöjd på 0,8 mm vid planering av kapsling och staplingsbegränsningar.