STMicroelectronics 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

22 982,50 kr

(exkl. moms)

28 727,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 10 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 - 25009,193 kr22 982,50 kr
5000 +8,568 kr21 420,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-6557
Tillv. art.nr:
STS4DNF60L
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOIC

Serie

STripFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

55mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

15V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Maximal effektförlust Pd

2W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Höjd

1.25mm

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals STripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.